内存“超级周期”来临，闪迪、美光是 AI 黄金时代的下一个赢家？
RockFlow
人工智能浪潮的初期，资本和目光聚焦于 GPU 算力的军备竞赛。然而，随着 AI 大模型的规模进入 PB 级时代，新的瓶颈已经浮现：存储危机。
昂贵的 GPU 正在被低效的存储和内存带宽拖慢，导致算力利用率低下，成为 AI 基础设施总成本（TCO）的隐形杀手。
存储，这个传统上被视为“配件”的行业，正经历一次重要升级。无论是模型训练、数据湖归档，还是未来 AI 生成视频对容量的爆炸性需求，都指向了一个清晰的结论：存储才是决定 AI 规模化和商业效率的真正上限。
本文中，RockFlow 投研团队将深度剖析 AI 如何推动一场为期多年的“内存超级周期”，聚焦于 HBM（高带宽内存）、DRAM 和 NAND 三大核心赛道，并通过对美光 (MU) 和 SanDisk (SNDK) 等美股领先公司的深度分析，为你构建 AI 存储时代的投资地图。
AI 工作负载的特点——高并发、大数据集、随机读写——对传统存储架构提出了颠覆性挑战。
在 AI 服务器中，GPU 的闲置时间往往是因为等待数据从存储单元传输到计算单元。据行业测算，AI 服务器中 30%-50% 的能耗可能用于数据搬运，而非实际计算。这种低效直接导致了高价值 GPU 的利用率下降，加剧了 AI 基础设施的总拥有成本 (TCO)。
AI 时代要求存储具备三个关键属性：极高容量（Capacity）、极高带宽（Bandwidth）和低延迟（Latency）。这种需求将存储市场推向了双重结构性增长：带宽革命（HBM/DRAM）和容量爆发（NAND/SSD）。
HBM 的爆炸性需求，正以意想不到的方式重塑传统 DRAM 市场。HBM 由堆叠的 DRAM 芯片构成，其平均售价（ASP）远高于传统 DDR 内存。
HBM 的“虹吸效应”非常明显。内存制造商（如美光、SK 海力士和三星）有更强的动力将 DRAM 晶圆产能转向生产利润更高的 HBM 基础芯片。这种内部产能倾斜导致了传统内存市场的供应紧张。
由此带来的市场影响也很直接：制造商为 HBM 腾出空间而宣布 DDR4 停止生产。现有的 OEM 厂商对 DDR4 的抢购，导致其价格在短时间内飙升四倍多。这表明，HBM 对产能的占用直接抬高了整个内存市场的成本底线，同时也标志着新一轮“内存超级周期”的开端。
此外，鉴于 AI 带来的存储需求是非周期性的。大型科技公司在 2026 年继续加大 AI 基础设施投资的承诺，证实了这种增长势头的持久性。AI 需求的爆发速度远超传统 DRAM/NAND 扩产速度，导致供需持续失衡，尤其是 HBM，预计将持续供不应求至 2026 年底。
内存市场的竞争正从容量竞争转向技术制高点的争夺。
HBM4 主导权之争，其核心是先进封装与性能极限的挑战。HBM4 内存本身就非常昂贵，其价格只会更高。确立 HBM 市场主导地位对于内存制造商而言至关重要。
当前，SK 海力士在 HBM 领域一直处于领先地位。他们通过 DRAM 堆叠，以及将基础芯片切换至 5nm 等真正的逻辑制程工艺，展示了 10 Gbps/引脚的量产级速度，奠定了先发优势。但与此同时，美光和三星也在持续追赶：
三星克服 HBM3E 良率问题后，与 AMD 的 MI350 平台达成合作。
美光在 HBM4 样品传输速率上报告 9 Gbps/引脚，但面临 NVIDIA 等客户要求提升至 11 Gbps/引脚的行业新标准。美光正从自主研发的存储器节点转向与台积电合作开发基础芯片，以 5nm 等逻辑节点工艺来突破速度极限。
因此，这场 HBM4 的军备竞赛是决定谁能在本轮内存超级周期中胜出的关键，其高 ASP 将是决定未来内存厂商盈利能力的核心因素。
另一边，关于高容量存储革命的开展也是如火如荼。AI 视频生成（如 Sora-2、Meta Vibes）等技术带来数据量的爆炸性增长，将存储需求从 DRAM 传导至 NAND 闪存。
传统的数据存储在近线硬盘驱动器（HDD）中。然而，AI 数据量激增导致 HDD 面临供应链短缺，交货周期长达一年，价格水涨船高。企业级固态硬盘（eSSD）凭借更高的密度、更低的功耗（约 30% 降低）和更快的访问速度，正在加速取代 HDD。
还有 QLC NAND 的崛起——四层单元（QLC）NAND 闪存因其成本更低、存储密度更高，成为 AI 超大规模数据中心的理想选择。
例如，SanDisk 最近发布了基于 UltraQLC SSD，单块硬盘容量高达 256TB，远超目前最大容量 HDD，非常适合 AI 视频和数据处理。QLC 的存储密度和节能优势，使其必然成为云服务提供商的主流选择。
CXL 技术正成为 AI 存储生态系统的第三个关键催化剂。CXL 允许 CPU 和 GPU 共享内存池，极大提升内存容量和带宽的灵活性，有效解决内存墙问题。Type 3 CXL 存储器扩展设备无需增加主 CPU 内存通道的数量，即可扩展存储容量和带宽，降低总体拥有成本（TCO）。
据统计，当前已有超过 200 家公司加入 CXL 联盟，标志着 CXL 正在成为处理器的内存互连技术的共识。随着 CXL 2.0/3.0 规范的推出，内存池化和资源共享将大幅提高 AI 工作负载的内存利用率。
美光科技 (MU)：被低估的 AI 内存领导者与 HBM 领域的雄心
美光科技是全球三大 DRAM 和 NAND 制造商之一，其投资逻辑的核心在于其 DRAM 业务（尤其是 HBM）在 AI 浪潮中的爆发式增长，以及其相对低估的股价。
RockFlow 投研团队认为，美光的增长故事正在超越传统周期性波动，转变为结构性扩张。其坚实的基本面有以下三大亮点：
DRAM 营收的惊人增长：美光 DRAM 业务在 2025 财年第四季度的营收同比增长近 69%，相比前两季度的增速显著加速。这一增速远超同期半导体行业平均水平，证明美光正有效地利用 AI 带来的结构性机遇。华尔街分析师预计，美光未来四个季度的平均年增长率将保持在 40% 以上。
创新驱动与研发投入：美光持续加大研发投入，过去 12 个月的研发支出已接近 40 亿美元的新高。这并非成本负担，而是其保持行业领先地位的战略投资。
AI 数据中心解决方案：新推出的超大容量 SOCAMM2 LPDRAM 专为 AI 数据中心设计，满足了 LLM 对超大容量、高能效内存的需求。
高性能游戏内存：同时推出性能最强的游戏内存 DDR5 Pro OC 6400 CL32，表明美光在快速增长的电子游戏市场也有明确的多元化布局。
财务健康与资本配置的严谨性：尽管在研发和资本支出上投入巨大，美光通过严谨的资本配置实现了净债务的显著下降。健康的资产负债表使其能够继续投资于高成本、高风险的 HBM 增长赛道，同时保持财务稳健。
美光在 HBM 领域的执行力是其未来估值能否进一步提升的关键。
如前所述，美光当前面临的挑战主要是在 HBM4 样品传输速率上报告 9 Gbps/引脚，但面临 NVIDIA 等大买家要求更高的 11 Gbps/引脚的数据速率。美光此前使用自主研发的 1-beta 存储器节点作为 HBM 基础芯片，成本较低，但限制了其达到更高数据速率的能力。
为了克服速度瓶颈并确保市场竞争力，美光宣布与台积电合作开发 HBM4 基础芯片。这是在 HBM4 竞赛中保持领先的关键举措。
尽管美光的基本面强劲且增长惊人，但其预期市盈率和价格/自由现金流比率仍显著低于行业中位数。这种巨大的股价折让表明市场尚未完全消化 HBM 带来的长期结构性利润。
在 RockFlow 投研团队看来，美光具备技术创新、市场领先和财务健康的优势，股价的低估是暂时的市场错位。投资者可将美光视为 AI 存储领域中，将高增长、高研发投入与严谨资本配置完美结合的核心投资标的。
SanDisk (SNDK)：NAND 闪存的领导者与 AI 时代容量需求的捕手
SanDisk（SNDK）作为从西部数据（WDC）分拆出来的纯 NAND 闪存公司，正凭借其企业级 SSD（eSSD）的战略布局，成为 AI 时代容量爆发浪潮中的关键受益者。其投资逻辑基于其战略清晰度、产品线对标 AI 需求以及被严重低估的股价。
SanDisk 的崛起是其从周期性制造商向 AI 基础设施核心供应商转型的结果。当下，RockFlow 投研团队看好它的核心原因有四：
战略清晰度与盈利优先：2025 年 2 月分拆后，SanDisk 明确专注于 NAND 闪存，将战略重心从“不惜一切代价追求增长”转向盈利能力。这种新的纪律体现在通过控制产量和产能利用率来支撑定价。
业绩加速增长：战略和市场改善直接转化为强劲的财务表现。SanDisk 的财报持续超出预期，并明确指出价格上涨已经开始。其云终端市场在 2025 财年同比增长 195%，是 AI 驱动需求的有力证明。
产品线对标 AI 需求：
“Stargate”平台：即将推出的 “Stargate”企业级 SSD 平台是核心催化剂，采用全新设计的 ASIC 芯片和下一代 BiCS 8 QLC 技术，瞄准 AI 模型训练和推理所需的海量、高密度存储。
高容量的领先者：基于 UltraQLC 的固态硬盘，单块容量高达 256TB，具备巨大的存储密度和节能优势，是 AI 视频处理和数据湖存储的理想解决方案。
合资优势：与铠侠（Kioxia）长达 25 年的合资企业，共享制造和技术资源（包括 BiCS 8 节点），保障了 SanDisk 的制造规模和技术路线图。
但也需要注意其当下的一些风险因素：
首先，从当前竞争格局来看：HBM 领域的四大巨头（SK 海力士、三星、美光、金士顿）是其强大的竞争对手，尤其是在企业级 SSD 市场。
其次，它的绝大多数产品并非美国制造：公司 95% 的产品在海外生产，使其容易受到供应链中断和关税的影响。
第三是结构限制：作为免税分拆的条件，SanDisk 在两年内被限制进行某些并购活动，可能限制其在行业整合中的战略灵活性。
总结来说，SanDisk 代表了 AI 存储投资中，价值被严重低估的成长股。它在 NAND 闪存和企业级存储市场具有长期增长机遇，是 AI 领域中具备强大品牌价值、技术创新和高密度存储能力的核心投资标的。
其他 AI 存储赛道优质投资标的
除了核心的内存制造商美光科技 (MU) 和纯 NAND 领导者 SanDisk (SNDK) 之外，美股投资者还可以通过以下个股和 ETF 捕捉 AI 存储生态的多维度机会：
1）西部数据 (WDC)
作为 SanDisk 前母公司，持有 SNDK 约 19.9% 股份，间接享受其增长红利。同时，HDD 业务在近线存储短缺中受益，与 eSSD 形成互补。间接投资 SNDK 的渠道，且 HDD 业务在 AI 数据爆发中仍有不可替代的地位。
2）英特尔 (INTC)
INTC 的 CPU 平台（Xeon）对内存带宽和容量的需求直接拉动存储升级。CXL 允许内存池化，是解决 AI 内存墙的关键。捕捉 AI 基础设施中 CXL 技术红利的有效途径。
3）英伟达 (NVDA)
作为 HBM 的最大买家，其 GPU 对 HBM 的用量成倍增加，直接驱动了整个内存超级周期。它并非存储股，但其业绩和产品路线图是判断 HBM 市场景气度的最直接指标。
4）iShares 半导体 ETF (SOXX)
一个知名半导体 ETF，涵盖美光、英伟达、AMD 等芯片设计、制造和内存巨头，分散投资于整个 AI 基础设施供应链，包括存储、逻辑芯片和代工环节。适合希望捕捉整个半导体周期红利，但不希望过度集中于单一存储股的投资者。
5）VanEck 半导体 ETF (SMH)
另一个知名的半导体 ETF，与 SOXX 互补，确保不错过 HBM 供应链中的关键设备和制造环节。通过追踪整个行业表现，规避单一公司 HBM 竞赛失利或执行风险。
RockFlow 投研团队相信，AI 带来的“存储危机”是真实且长期存在的。存储行业已进入由带宽革命和容量爆发共同驱动的多年超级周期。
当下，AI 对存储的需求是指数级的，使得存储行业的周期性被弱化，结构性成长成为主旋律。在 HBM 溢价和 CXL 创新的驱动下，存储股不再是简单的周期股，而是披着科技外衣的成长股。
鉴于当前市场仍存在估值与基本面之间的“错位”，尤其是在美光和 SanDisk 等公司。投资者应关注那些能够有效管理资本配置、并在高阶存储领域取得突破的领导者。在 AI 需求持续强劲的背景下，现在正是布局具备技术优势和估值吸引力的 AI 存储核心标的的黄金时期。
